微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的
  
您好, 登录| |
子站:
产品/技术
应用分类

Power Integrations推出具有极低Qrr、适用于高效高开关速度设计的汽车级Qspeed硅二极管

2021-06-21 16:33 来源:Power Integrations 编辑:w88客户端

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管,在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时,Qrr仅为14nC,该二极管可提高车载充电器PFC级的效率,可显著降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能,可是并没有因为采用昂贵的技术而带来成本增加的缺点。

QspeedH-Series_Auto

Power Integrations高级产品营销经理Edward Ong表示:“这些新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半,可实现非常高的系统效率。这对于需要更高的开关频率以减小体积和重量的汽车车载充电器应用尤为重要,并且能使Qspeed二极管取代SiC器件。”

QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二极管技术来实现高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性不仅提高了效率,还降低了EMI和峰值反向电压应力,在车载充电器中用作输出整流管时无需使用缓冲电路。新器件采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装,可直接安装到金属散热片上,有利于实现出色的温升性能表现。

声明:本内容为作者独立观点,不代表w88客户端。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。

微信关注
技术专题 更多>>
元器件选型操作实用手册

头条推荐

电子行业原创技术内容推荐
关注我们
官方Q群
联系客服
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享
  • w88客户端版权2002-2021 联网备案号 12010402000747 增值电信业务经营许可证:津B2-20120058
  • 网博互动旗下网站: |
  • 营业执照